微波功率放大器主要分為真空和固態(tài)兩種形式。基于真空器件的功率放大器，曾在軍事裝備的發(fā)展史上扮演過重要角色，而且由于其功率與效率的優(yōu)勢，現(xiàn)在仍廣泛應用于雷達、通信、電子對抗等領域。后隨著GaAs晶體管的問世，固態(tài)器件開始在低頻段替代真空管，尤其是隨著GaN，SiC等新材料的應用，固態(tài)器件的競爭力已大幅提高[1]。本文將對兩種器件以及它們競爭與融合的產(chǎn)物——微波功率模塊（MPM）的發(fā)展情況作一介紹與分析，以充分了解國際先進水平，也對促進國內(nèi)技術的發(fā)展有所助益。

1.   真空放大器件

跟固態(tài)器件相比，真空器件的主要優(yōu)點是工作頻率高、頻帶寬、功率大、效率高，主要缺點是體積和質量均較大。真空器件主要包括行波管、磁控管和速調管，它們具有各自的優(yōu)勢，應用于不同的領域。其中，行波管主要優(yōu)勢為頻帶寬，速調管主要優(yōu)勢為功率大，磁控管主要優(yōu)勢為效率高。行波管應用為廣泛，因此本文主要以行波管為例介紹真空器件。

1.1   歷史發(fā)展

真空電子器件的發(fā)展可追溯到二戰(zhàn)期間。1963年，TWTA技術在設計變革方面取得了實質性進展，提高了射頻輸出的功率和效率，封裝也更加緊湊。1973年，歐洲首個行波管放大器研制成功。然而，到了20世紀70年代中期，半導體器件異軍突起，真空器件投入大幅減少，其發(fā)展遭遇極大困難。直到21世紀初，美國三軍特設委員會詳細討論了功率器件的歷史、現(xiàn)狀和發(fā)展，指出真空器件和固態(tài)器件之間的平衡投資戰(zhàn)略。2015年，美國先進計劃研究局DARPA分別啟動了INVEST，HAVOC計劃，支持真空功率器件的發(fā)展和不斷增長的軍事系統(tǒng)需要，特別是毫米波及THz行波管[2-4]。當前真空器件已取得長足進步，在雷達、通信、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中應用廣泛。

1.2   研究與應用現(xiàn)狀

隨著技術的不斷進步，現(xiàn)階段行波管主要呈現(xiàn)以下特點。一是高頻率、寬帶、高效率的特點，可有效減小系統(tǒng)的體積、重量、功耗和熱耗，在星載、彈載、機載等平臺上適應性更強，從而在軍事應用上優(yōu)勢突出。二是耐高溫特性，使行波管的功率和相位隨著溫度的變化波動微小，對系統(tǒng)的環(huán)境控制要求大大降低。三是抗強電磁干擾和攻擊特性，使其在高功率微波武器和微波彈的對抗中顯示出堅實的生存能力。四是壽命大幅提高，統(tǒng)計研究顯示，大功率行波管使用壽命普遍大于5 000 h，中小功率產(chǎn)品壽命大于10 000 h，達到武器全壽命周期。圖1為2000年前產(chǎn)品的平均首次故障時間（MTTF）統(tǒng)計，可以看出各類系統(tǒng)中真空器件的穩(wěn)定性都有提升，空間行波管的MTTF更是達到數(shù)百萬h量級，表現(xiàn)出極高的可靠性[1, 4]。

圖 1 真空功率器件MTTF概況

公開報道顯示，美軍作戰(zhàn)平臺中真空器件被大量使用，是現(xiàn)役電子戰(zhàn)、雷達和通信的主要功率器件。新開發(fā)的高頻段、小型化行波管及功率模塊進一步推動高性能裝備的不斷出現(xiàn)。典型應用包括車載防空反導系統(tǒng)、地基遠程預警與情報系統(tǒng)、機載火控系統(tǒng)、無人機通信系統(tǒng)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)、空間以及衛(wèi)星通信系統(tǒng)等[5]。下面介紹當前正在研究和應用的行波管的幾種重要技術。

1.2.1   行波管有源組陣技術

國外近幾年主要在更高頻段發(fā)展一系列的小型化行波管，頻段覆蓋X，Ku，K，Ka，140 GHz等，并不斷在新技術上獲得突破。國內(nèi)經(jīng)過近10多年的努力，行波管在保持大功率和高效率的前提下，體積減小了1個數(shù)量級，為有源組陣技術奠定了良好的基礎。

行波管有源組陣的形式分為單元放大式和子陣放大式兩種。與無源相控陣相比，其單個行波管的功率要求低，器件的可靠性和壽命相對較高。同時各通道相對獨立，某通道出現(xiàn)故障不會影響到其他通道，因此系統(tǒng)的可靠性高。而且整個輻射陣面可以分多個區(qū)域獨立工作，實現(xiàn)系統(tǒng)多目標、多任務的能力。與固態(tài)有源相控陣相比，作用距離更遠，威力更大，且配套的冷卻車和電源車相對短小精悍，系統(tǒng)機動性高，戰(zhàn)場生存能力強。由于其全金屬、陶瓷密封結構，在面對高功率微波武器時的生存能力更強。在相同的陣面功率時所需的單元數(shù)將少1個數(shù)量級，因此成本會大幅降低。與單脈沖雷達相比，其作用距離、分辨率、多目標、多任務、壽命及任務可靠性等指標會更好[5]。目前，國內(nèi)正在開展基于行波管的Ku波段稀布陣低柵瓣技術研究，以期在陣元間距30 mm的條件下實現(xiàn)?20 dB的柵瓣。

另外，與行波管有源組陣相配套的小型化大功率環(huán)行器研究進展迅速。采用不等尺寸單元組成的非周期排列方式、徑向等間距排列的非周期環(huán)形陣和子陣非規(guī)則排列等新型陣面技術能夠很好解決大單元間距引起的柵瓣問題，這些共同保障行波管有源組陣的推進。

1.2.2   毫米波和THz行波管

5G移動通信技術的發(fā)展，對Ka到W波段的毫米波功率放大器提出了需求。未來5G需要寬帶接入一個地區(qū)，而又不能采用光纖的地方，則只能選擇毫米波波段[6]。THz波由于具有頻率高、寬帶寬、波束窄等特點，使得其在雷達探測領域具有重大的應用潛力。但隨著頻率的升高，對器件的加工工藝要求也越來越高。近年來，微機械（MEMS）微細加工工藝的全面引入改善了傳統(tǒng)工藝，使得真空器件工作頻率進入到毫米波和THz頻段，現(xiàn)有器件高已經(jīng)達到1 THz。短毫米波行波管近年來漸趨成熟，并初步形成了相關的系列產(chǎn)品，表1為國內(nèi)外典型毫米波行波管產(chǎn)品[7]。諾格公司在2013年成功研制出了220 GHz的折疊波導行波管功率放大器，國內(nèi)中電第十二研究所以及中國工程物理研究院都開展了220 GHz行波管的研究工作，諾格公司在2016年還首次將行波管工作頻率提高到1 THz[8]。表2為一些THz行波管典型研究的測試結果。

1.3   發(fā)展趨勢

1.3.1   更高頻段

毫無疑問，工作頻段高是TWTA的絕對優(yōu)勢所在。在高頻段，固態(tài)功率放大器（SSPA）的輸出功率和效率均遠低于TWTA，因此高頻化是TWTA的必然發(fā)展趨勢。MEMS微細加工工藝促使毫米波和THz頻段的研究推進。空間行波管隨著Ku波段的趨于飽和以及高清電視、多媒體通信等市場需求的驅動使得Ka波段的應用逐漸增多，而且有往Q/V頻段遷移的趨勢，已逐漸成為新的研究熱點[9]。而THz頻段的通信具有極高傳輸速率，隨著波導技術的進步，在外太空探測中TWTA的應用潛力很大。

1.3.2   更高的效率

應用以來，各個波段行波管的效率均在不斷提高。目前L3公司制造的Ku波段88125H，效率可達73%，為當前公開報道的高值。目前電源效率已經(jīng)很高，普遍優(yōu)于90%，進一步提高效率將是一種研發(fā)挑戰(zhàn)，因此主要靠提高行波管的效率以實現(xiàn)總效率值的增加。通過優(yōu)化行波管螺旋節(jié)距分布就是一種提升效率的有效方法[10]。

1.3.3   小型化行波管

TWTA小型化技術在過去幾十年中已有了顯著的改進，而且行波管有源組陣等技術的發(fā)展推動著行波管小型化不斷向前發(fā)展。另外TWTA的一個潛在的變化是增加Mini-TWT的使用。Mini-TWT是傳統(tǒng)TWT的小版本，是微波功率模塊的基礎，雖無法達到高射頻輸出功率，但在減小體積的同時也提高了效率，尤其在衛(wèi)星通信等領域影響重大[11-12]。

2.   固態(tài)放大器件

固態(tài)器件，也就是半導體電子器件。與TWTA類似，SSPA通常需配置集成電源，其不同在于，SSPA使用場效應晶體管作為射頻功率放大的主要器件，工作電壓低，實現(xiàn)也更加容易。由于其單體輸出功率較低，為了實現(xiàn)高功率放大，SSPA需要將許多功率晶體管并聯(lián)放置，從而實現(xiàn)輸出功率的合成。固態(tài)器件具有體積小、噪聲低、穩(wěn)定性好的優(yōu)點，缺點是應用頻帶低、單體輸出功率小、效率低。

2.1   歷史發(fā)展

二戰(zhàn)以來，信息技術取得了飛速發(fā)展，發(fā)起并推動了第三次科技革命，深刻地改變了人們的生活和學習方式，也改變了世界格局和軍事斗爭形式。微電子技術是信息技術的核心，而半導體材料是微電子技術的基石[13]。受半導體材料本身的限制，固態(tài)功率器件效率比較低，在較高頻率下輸出功率非常小，并且隨著頻率和帶寬的增加，其輸出功率電平顯著下降，器件成本也大幅度上升。為滿足無線通訊、雷達、航空航天等對器件高頻率、寬帶寬、大功率和高效率的要求，20世紀90年代起，以GaN和SiC為代表的寬禁帶新型半導體材料深刻地改變了固態(tài)功率放大器的性能，并引起了人們的關注和研究。

2.2   研究與應用現(xiàn)狀

2.2.1   應用現(xiàn)狀

公開信息顯示，各家的產(chǎn)品主要還是集中在L，S和C波段。就空間應用SSPA來說，2016年，馬薩諸塞州航空航天技術研究所的研究表明，SSPA實際上可用于高達Ku波段的頻率，且該波段中SSPAs的比例從波音公司之前研究中的大約1%增加到6%，但更高波段則很少有應用了。一些領先的制造商的產(chǎn)品也可以大致說明SSPA的應用情況。NEC公司的SSPA，在L波段輸出功率和標稱增益為55 W和61 dB，S波段為24 W和70 dB，C波段則為20 W和86 dB。Airbus Defense and Space公司開發(fā)的SSPA，L波段和S波段器件的輸出功率為15 W，效率為31%，標稱增益為67 dB，C波段的輸出功率為20 W，效率為37%，標稱增益為70 dB[11]。

2.2.2   GaN產(chǎn)品

GaN材料作為寬禁帶半導體的重要代表，以優(yōu)越的性能優(yōu)勢，在眾多半導體材料中脫穎而出，引起了廣泛的關注和研究。如表3所示，GaN相比其它材料具有更優(yōu)越的特性：大的禁帶寬度，是GaN材料大功率應用的根本所在；優(yōu)越的電子遷移率，決定了器件的高工作頻率和放大增益；高的飽和電子漂移速度，提高了頻率特性，使其適于高頻器件的應用；高的擊穿場強，有利于器件應用于大功率信號，也有利于器件尺寸的減小；良好的熱導率，可降低溝道溫度，使得器件的工作性能穩(wěn)定；低的介電常數(shù)，這可使器件尺寸增大以提高器件功率，也可提高器件頻率特性；高的Baliga優(yōu)值，使其特別適合于高頻寬帶大功率領域應用[13-14]。

近年來，在微波發(fā)射系統(tǒng)中普遍應用多個微波單片集成電路（MMIC）進行功率合成以獲得更高的輸出功率。而采用GaN材料研制的MMIC單片功率密度高、電流小、效率高。國內(nèi)已采用Ku頻段GaN材料單片和一款波導合成網(wǎng)絡研制出一種功率放大器，并通過多個該放大器進行功率合成，得到了更大的寬帶輸出功率，在軍事及民用領域均可適用[15-16]。另提出了一種基于等效電路參數(shù)多偏差統(tǒng)計模型的微波GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）功率放大器的設計方法，并利用統(tǒng)計建模方法驗證了統(tǒng)計模型。采用此模型進行Ku波段GaN HEMT功率放大器設計，具有較高的漏極效率，模擬結果在統(tǒng)計上與測量結果一致[17]。

2.3   發(fā)展趨勢

GaN和SiC等新材料優(yōu)勢明顯，它們使得固態(tài)器件的功率、頻率和帶寬都得到了極大的提高。SiC的材料成本較高，這也成為阻礙其發(fā)展的一個因素，但應用前景廣闊。GaN技術正快速發(fā)展并逐步走向應用，未來還將繼續(xù)向高功率和高效率改進，包括基于金剛石襯底提高散熱能力和大功率密度，采用新型場板結構改善晶體管電流崩塌效應以提高輸出功率，采用堆疊結構提高功放電路電壓擺幅和輸出功率等。此外，它還將繼續(xù)向更高頻段突破，包括等比例縮小技術提升特征頻率，克服擊穿電壓降低、短溝道效應、漏延遲、寄生RC延遲惡化等問題。更高集成度增強技術，電滲析法（ED）工藝技術及支持片上系統(tǒng)SoC技術等也是其發(fā)展方向[18]。

3.   微波功率模塊

如前所述，電真空器件單管功率大于固態(tài)器件，可以應用的頻段也更高，但真空器件需要高壓電源，體積和質量較大。而固態(tài)功率器件由于半導體本身材料限制，效率較低，而且不適用于高頻率。在此情況下，微波功率模塊（MPM）應運而生。MPM作為一種新型的微波功率器件，其大的特點在于充分利用了真空器件和固態(tài)器件的優(yōu)點，并避免了其各自的缺點，從而獲得高增益、低噪聲、大功率、高效率等二者單獨使用無法獲得的優(yōu)良性能。其集成電源的設計使用戶不用直接面對高壓，提高了安全性。

3.1   MPM簡介

MPM將固態(tài)功放、小型化行波管及微型集成電源全部封裝在一個小空間內(nèi)，創(chuàng)造性地把固態(tài)和真空兩種技術結合起來，在性能上遠遠地超過單獨的固態(tài)和真空器件。如圖2所示，固態(tài)放大器作為前級，為整個放大鏈提供低噪聲和相當?shù)脑鲆妫胁ü転槟┘壒Ψ牛峁┐蠊β瘦敵觯呻娫刺峁㎝PM所需的各級電壓，并為模塊提供控制和保護功能[19]。

圖 2 MPM的組成

MPM將兩種器件的優(yōu)點有機結合，具備了大功率、高效率、小體積和低噪聲等優(yōu)點，可用于通信、電子對抗以及民用領域。對于機載和星載等應用平臺，由于其對放大器的體積、質量等要求嚴格，MPM也將具有很好的前景[20]。另外，由于MPM應用非常方便，傳統(tǒng)的TWTA也有被MPM替代的趨勢。

3.2   MPM研究現(xiàn)狀

3.2.1   國外發(fā)展現(xiàn)狀

MPM的概念自20世紀80年代末首次提出以來，相關技術已較為成熟。目前多家國外公司如L3，Thales，Triton，CPI，Selex ES，MITEQ，dBcontrol，e2v等，均推出了自己的MPM產(chǎn)品。如圖3所示，可以看出不同品牌及型號的MPM已涵蓋了2～45 GHz的范圍，高已達到W波段和G波段，連續(xù)波輸出功率高達250 W，并呈現(xiàn)出低頻模塊高功率化、低功率模塊高頻化的特點[21]。

圖 3 當前MPM頻率功率分布

MPM諧波抑制均控制在?11～4 dBc之間，雜波控制在?60～40 dBc之間。MPM效率主要取決于功率器件和集成電源的效率，目前國外集成電源效率一直處于領先水平，MPM產(chǎn)品效率均在30%左右。在小型化上，各廠家MPM尺寸上嚴格把控，總體控制較為成熟，相對集中在2～3 kg之間。而在尺寸上由于散熱、電磁兼容設計等不同，體積大小不一，部分產(chǎn)品達到了MPM小型化的**，如L3公司推出的Ka頻段50 W產(chǎn)品，其型號為M1871，如圖4所示，注冊商標采用NanoMPM，尺寸為127 mm×76 mm×25 mm，且質量僅為700 g[21]。

圖 4  M1871 MPM

3.2.2   國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

在我國，對于MPM的研究起步比較晚，直到2001年以后才正式開展MPM的研究。通過近20年的努力，在典型頻段內(nèi)，國內(nèi)也成功研制了功率量級和尺寸與國外相當?shù)腗PM產(chǎn)品。當前，國內(nèi)研發(fā)的W波段MPM，實現(xiàn)連續(xù)波50 W的輸出功率，增益47 dB，帶寬6 GHz，尺寸370 mm×180 mm×45 mm，模塊總效率超過10%，均衡放大組件能提供16.5 dB以上的增益，均衡量達到7 dB。測試結果顯示，在6 GHz帶寬內(nèi)輸出功率大于50 W，整管效率為15.7%，集成電源能提供高17 kV的高壓，該模塊滿足了雷達、通信、電子對抗等系統(tǒng)對W波段寬帶大功率輸出的要求[22]。中國電子科技集團公司第十二研究所開發(fā)的4～18 GHz 50 W MPM，如圖5所示，效率達32%，但尺寸僅為140 mm×86 mm×20 mm，其所用的小型化行波管尺寸為135 mm×25 mm×16 mm，質量135 g。中國航天科技集團公司五院西安分院正在研制Ku頻段500 W脈沖雙管MPM，結構如圖6所示，兩支固態(tài)放大器、行波管和集成電源安裝在一個盒體內(nèi)，其中固態(tài)放大器安裝于行波管上方，通過螺釘緊固在機殼上，固態(tài)放大器和行波管之間通過半鋼電纜進行互聯(lián)，尺寸為310 mm×248 mm×60 mm，重量＜7 kg[1, 21]。

圖 5  中國電子科技集團公司第十二研究所4～18 GHz 50 W MPM

圖 6  Ku頻段500 W脈沖雙管MPM

3.3   MPM發(fā)展趨勢

3.3.1   高頻率與寬頻帶

向更高的頻率推進，是MPM的發(fā)展方向。目前其工作頻段已經(jīng)達到了毫米波波段，我們將毫米波波段的微波功率模塊又稱之為毫米波功率模塊（Millimeter Wave Power Module，MMPM）。L3公司推出W頻段100 W的MPM—M2839，其工作于92～96 GHz，重量為6.3 kg，尺寸375 mm×213 mm×83 mm。該公司又在W頻段MPM的基礎上，推出了E波段MPM，該產(chǎn)品按工作頻率分為71～76 GHz和81～86 GHz的兩個型號，尺寸都是376 mm×26.5 mm×7.6 mm。而滿足帶寬的要求是初研制MPM的目的之一，隨著技術的發(fā)展，目前已推出了多款工作頻帶4.5～18 GHz的MPM產(chǎn)品，可以在2個倍頻程的帶寬內(nèi)提供250 W的大輸出功率[1, 21]。Thales公司推出針對電子對抗應用的MPM產(chǎn)品，如圖7所示工作頻率4.5～18 GHz的200 W MPM產(chǎn)品TH24512，以及工作頻率18～40 GHz的65 W電子對抗用MPM[23]。

圖 7  TH24512 MPM

3.3.2   小型化

實現(xiàn)MPM的小型化，首先要實現(xiàn)各組件自身的小型化。而行波管作為MPM的末級輸出，影響為關鍵。L3公司推出的產(chǎn)品M1870（Ku波段）和M1871（Ka波段）。它們的功率分別為40 W和50 W，尺寸分別為140 mm×77 mm×25 mm、重700 g和168 mm×104 mm×25 mm、重1.13 kg，代表了MPM小型化的高水平[1, 21, 23]。集成電源也是一個重要部分。信息工程大學在2016年研制的厚度不足12 mm、效率達到94%左右的用于MPM的EPC組件，如圖8所示，在超薄設計上達到國內(nèi)先進水平，為MPM的小型化設計和陣列化應用奠定了基礎。

圖 8  信息工程大學的超薄EPC組件

3.3.3   標準化

MPM模塊化的設計為大批量生產(chǎn)提供了便利，可使成本進一步降低，在模塊化基礎上生產(chǎn)的系列產(chǎn)品可根據(jù)不同場合要求進行設計，從而滿足不同需求。如針對雷達應用的工作頻段13.5～18 GHz功率110 W產(chǎn)品、針對數(shù)據(jù)通信應用的工作頻段14.5～15.5 GHz功率100 W產(chǎn)品，均采用了統(tǒng)一的2 250 mm×232 mm×35 mm封裝，系列產(chǎn)品標準化程度較高。另外，針對電子作戰(zhàn)、衛(wèi)星通信傳輸?shù)葘掝l帶高功率的要求，也在進行相應的標準化設計。

3.3.4   新型MPM

隨著各類信息系統(tǒng)和器件不斷朝著微型化和集成化的方向發(fā)展，雙通道MPM、雙模MPM和T/R型MPM等將成為研究重點。雙通道MPM可同時實現(xiàn)兩路干擾信號輸出，也具備空間合成能力，功率密度較傳統(tǒng)MPM提高近1倍。當一路行波管出現(xiàn)故障時，MPM仍可在功率減半的條件下工作，提高MPM的冗余度。雙模MPM同時實現(xiàn)準連續(xù)波和脈沖兩種工作模式，實現(xiàn)新型的雙模干擾體制，為小型化、高性價比的雷達干擾一體化奠定基礎。T/R型MPM使系統(tǒng)的天線可以收發(fā)共孔徑，突破行波管收發(fā)功能，解決環(huán)型器頻段限制和損耗問題。

MPM作為一種全新的功率器件，將真空和固態(tài)器件進行了有效結合，其應用已經(jīng)覆蓋了軍事、民用等各個領域。針對應用環(huán)境的不同，MPM也可通過合理選擇器件的性能參數(shù)，以滿足不同的需求。如滿足數(shù)據(jù)傳輸和通信的應用，則提高線性度；滿足星載和機載系統(tǒng)的應用，則增強效率；滿足電子對抗系統(tǒng)的應用，則實現(xiàn)高增益。隨著技術的發(fā)展，MPM在無人機等平臺上也將表現(xiàn)出更為重要的作用。

4.   總　結

功率放大器的新技術繼續(xù)得益于固態(tài)和真空技術的共同進步。通過對商業(yè)化產(chǎn)品和工業(yè)級的原型器件的統(tǒng)計，得出了當代放大器可用峰值飽和輸出功率隨頻率變化的曲線，如圖9所示。圖中將單個GaN MMIC的峰值飽和輸出功率與單個行波管器件和集成的MPM進行比較，可以看到，大于50 dBm的輸出功率水平代表了毫米波頻率范圍內(nèi)商業(yè)器件性能的前沿。特別是MPM適用于小體積、輕質量、大功率、低成本（SWaP-efficient）等高性價比應用平臺。

圖 9 真空、固態(tài)及MPM新飽和輸出功率隨頻率變化圖

5.   結　論

本文首先分別介紹了真空和固態(tài)放大器件的組成和特點，然后介紹了它們的發(fā)展歷史、當前的技術研究狀況和未來發(fā)展趨勢。而后引出了兩種器件相結合的產(chǎn)物——微波功率模塊，并重點介紹了微波功率模塊的產(chǎn)生過程和當前國內(nèi)外的發(fā)展狀況，并對未來的發(fā)展趨勢進行了分析和預測。后總結了當前三種器件的功率水平。

總之，真空和固態(tài)器件各有特點，應根據(jù)具體應用場合和工作頻段，做優(yōu)選用。顯然，在高頻段上真空器件優(yōu)勢明顯，是實現(xiàn)毫米波、THz功率的有效途徑，因此需求巨大，應繼續(xù)拓展。而在低頻段上由于GaN等新材料的應用，SSPA占據(jù)著統(tǒng)治的地位，未來仍然會是研究的熱點。MPM則集成了二者的優(yōu)點，一方面解決了真空器件“加電難”的問題，另一方面又解決了固態(tài)器件在高頻段難以達到高功率的問題，因此必然會成為各個領域研究應用的重點。我國的MPM也要在充分學習國外先進技術的基礎上，堅持小型化、標準化，并向高頻和寬帶方向發(fā)展，不斷改善薄弱環(huán)節(jié)，增強工藝水平，實現(xiàn)產(chǎn)品的自主可控。

作者：作者：李建兵, 林鵬飛, 郝保良, 孫建邦

來源：強激光與粒子束

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